作者：Jeremy Correale，安森美半導體

目前市場(chǎng)上的多數硅ESD保護解決方案都是面向消費級電子器件設計的，但是ESD威脅也會(huì )使汽車(chē)電子器件設計師夜不成寐。令汽車(chē)電子設計師深感憂(yōu)慮的不僅是“正�！钡腅SD狀況，其他汽車(chē)特定事件也是讓人寢食難安的一個(gè)重要原因，例如電池短路(STB)情況。

在裝配、維修或消費者在車(chē)內使用這些器件的過(guò)程中，都有可能發(fā)生汽車(chē)電池短路事件。在裝配和維修過(guò)程中，斷開(kāi)或裸露的電池線(xiàn)有可能連接到任何接口，結果可能會(huì )損壞ESD保護器件。消費者使用過(guò)程中發(fā)生的電池短路事件的典型例子是，USB電纜掉進(jìn)車(chē)載點(diǎn)煙器插座，把電池線(xiàn)電壓帶進(jìn)接口線(xiàn)。汽車(chē)環(huán)境中存在12V電池網(wǎng)絡(luò )，這本身就會(huì )對車(chē)載ESD保護器件造成額外的負擔，因為這些器件需要應對有人有意或無(wú)意用電池線(xiàn)短接這些接口的情況。因此，如果在ESD威脅以外，接口還要承受這種電池短路狀況，主要用于消費級電子器件的5V常規擊穿ESD器件就不合適了。

安森美半導體開(kāi)發(fā)的車(chē)規級ESD保護器件綜合考慮了關(guān)態(tài)電壓和限流能力，可以從容應對電池短路和接地短路(STG)事件。除這些特性外，該器件還能滿(mǎn)足高速ESD保護需求，比如對信號完整性至關(guān)重要的低插入損耗、高帶寬和超低電容等。

ESD保護器件（如SZESD7361、SZESD7462、SZESD7102和SZESD1L001）的最低擊穿電壓為16V，可以承受最低9V、最高16V電池電壓下的汽車(chē)電池短路狀況。這些器件不但能提供低鉗位ESD保護，還擁有超低電容，能在GHz頻率范圍內運行。

NIV1161和NIV2161等器件擁有與前述器件相同的ESD保護硅芯片，同時(shí)集成了小信號MOSFET以實(shí)現限流功能，可為SoC提供電池短路和接地短路保護。這些集成式MOSFET具有低Rds(on)，適用于每秒吉比特高數據速率的應用。