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Ivy Bridge英特爾發(fā)下一代技術(shù)解析
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2011/5/24 22:33:00
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Intel宣布在微處理器晶體管設計上取得了一項重大的突破,沿用50多年的傳統硅晶體管將實(shí)現3D架構,Intel將其命名Tri-Gate。

 
32nm二維晶體管與22nm三維晶體管對比

其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現了這一技術(shù),現在Intel把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片,Ivy Bridge晶體管的數量將達到10億。

 
Intel發(fā)明3D晶體管技術(shù) 22nm工藝采用

3D Tri-Gate晶體管架構將取代現有的2D架構,不僅僅在CPU領(lǐng)域,手機和消費電子等都將應用這一技術(shù)。

有效提高單位面積晶體管的數量

Intel3D Tri-Gate晶體管機構技術(shù)的實(shí)現,使得單位面積內的晶體管數量得到極大的提高,以往芯片受限于面積限制而無(wú)法設計更高性能的產(chǎn)品將不會(huì )存在了。

 
22nm 3D Tri-Gate晶體管模型圖

3D Tri-Gate使用一個(gè)薄得不可思議的三維硅鰭片取代了傳統二維晶體管上的平面柵極,形象地說(shuō)就是從硅基底上站了起來(lái)。硅鰭片的三個(gè)面都安排了一個(gè)柵極,其中兩側各一個(gè)、頂面一個(gè),用于輔助電流控制,而2-D二維晶體管只在頂部有一個(gè)。由于這些硅鰭片都是垂直的,晶體管可以更加緊密地靠在一起,從而大大提高晶體管密度。

 
3D Tri-Gate晶體管結構的優(yōu)勢

這種設計可以在晶體管開(kāi)啟狀態(tài)(高性能負載)時(shí)通過(guò)盡可能多的電流,同時(shí)在晶體管關(guān)閉狀態(tài)(節能)將電流降至幾乎為零,而且能在兩種狀態(tài)之間極速切換。Intel還計劃今后繼續提高硅鰭片的高度,從而獲得更高的性能和效率。

顯著(zhù)提升供電效率,降低能耗

全新的3D Tri-Gate能夠提供同等性能的同時(shí),功耗降低一半。新的接口極大的減少了漏電率。閾值電壓可以得到極大的降低。

  

晶體管工作在更低的電壓下,功耗也會(huì )得到顯著(zhù)下降,而我們關(guān)心的處理器的工作頻率也會(huì )得到相應的提高


 
電壓降低0.2V

相比現在的32nm制程,處理器電壓可降低0.2V。



即使在同等電壓下,新的22nm 3D Tri-Gate晶體管架構性能也可提升37%。

加速移動(dòng)處理芯片的步伐

我們知道移動(dòng)芯片嚴重的依賴(lài)功耗和體積,Intel 3D Tri-Gate將會(huì )在未來(lái)應用到這一領(lǐng)域。

 

相對于傳統的2D晶體管結構,晶體管的數量將得到極大提高,我們印象中的嵌入式芯片的性能將媲美傳統處理器。而移動(dòng)設備的續航時(shí)間也會(huì )隨著(zhù)芯片功耗的降低得到提高。

 

在新的3D Tri-Gate晶體管架構的帶動(dòng)下,移動(dòng)設備將迎來(lái)新的黃金發(fā)展時(shí)期,技術(shù)的更新速度將明顯加快,同時(shí)將會(huì )有越來(lái)越多的產(chǎn)品面世,屆時(shí)整個(gè)行業(yè)將會(huì )出現欣欣向榮的局面。

延續摩爾定律

平面晶體管數量的提升只能純粹的依靠新的工藝,3D Tri-Gate技術(shù)的引入,晶體管數量提升就變得非常容易了,摩爾定律將會(huì )依舊成立。

 

從Intel這份路線(xiàn)圖上面我們可以看到不僅僅是22nm,更新的14nm,10nm技術(shù)也在不久的未來(lái)推出。

 

Tick-Tock成功延伸

之前單鰭片晶體管、多鰭片晶體管、三柵極SRAM單元、三柵極后柵極(RMG)終于擺脫實(shí)驗,步入了真實(shí)軌道, Intel可將這一技術(shù)用于大批量的微處理器芯片生產(chǎn)流水線(xiàn),有效提高產(chǎn)品質(zhì)量和降低成本。

 

“晶體管將變得更小、更便宜也更加高效”,摩爾定律也有望迎來(lái)新的發(fā)展篇章。

3D Tri-Gate試水Ivy Bridge

按照Intel的規劃,Ivy Bridge芯片將首次使用這一技術(shù),之前我們關(guān)于Ivy Bridge介紹時(shí)提到芯片的架構改變不大。而現在Intel給Ivy Bridge注入3D Tri-Gate這一元素后,相信我們認識的22nm版本“Sandy Bridge”將會(huì )獲得質(zhì)的飛躍。

 

22nm 3D Tri-Gate成功的實(shí)現了性能的飛躍,同時(shí)功耗也得到極大降低,在晶體管關(guān)閉狀態(tài)將電流降至幾乎為零,而且能在兩種狀態(tài)之間極速切換。

 

22nm的3D Tri-Gate晶體管立體結構在單位面積承載更多的晶體管數量,助Ivy Bridge晶體管數量成功突破10億。

 

伴隨處理性能提升,顯示性能的增強,22nm Ivy Bridge無(wú)疑會(huì )成為Intel的劃時(shí)代意義的產(chǎn)品,我們將拭目以待。

 
 
 
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